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            快訊

            三安光電120億Mini/Micro LED芯片項目開工

            2019-08-01 11:31 來源:高工新型顯示 關注度:11688次 字體:   原創申明 投稿
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            7月29日,三安光電Mini/Micro LED芯片產業化項目在湖北葛店葛店經濟技術開發區舉行開工儀式。

              7月29日,三安光電Mini/Micro LED芯片產業化項目在湖北葛店葛店經濟技術開發區舉行開工儀式。

              作為國內LED芯片龍頭企業,三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發與應用,著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到的LED外延、芯片為核心主業。公司產品主要應用于照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域。

              此次開工的Mini/Micro LED芯片產業化項目是三安光電改善其產品結構,提升核心競爭力,鞏固在LED芯片領域行業地位的重要舉措。

              2019年4月26日,三安光電發布公告稱,擬投資120億元在湖北省葛店經濟技術開發區興辦Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體項目,主要生產經營Mini/Micro LED外延與芯片產品及相關應用的研發、生產、銷售。

              三安光電方面表示,Mini/Micro LED是公司未來重點發展方向之一。該項目符合國家產業政策規劃,符合公司產業發展方向和發展戰略,有利于改善公司產品結構,提升公司核心競爭力,鞏固公司行業地位。

              三安光電Mini/MicroLED芯片產業化項目位于湖北省葛店經濟技術開發區,項目用地約756畝,計劃總投資120億元,總建筑面積47.77萬平方米。項目將建成Mini/MicroLED氮化鎵芯片、Mini/MicroLED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發生產基地。預計氮化鎵芯片系列年產161萬片(藍光MiniLED72萬片/年;藍光MicroLED9萬片/年;綠光MiniLED72萬片/年;綠光MicroLED8萬片/年)、砷化鎵芯片系列年產75萬片(紅光MiniLED66萬片/年;紅光MicroLED9萬片/年)、4K顯示屏用封裝產品年產84000臺。

              項目建成達產后,將形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權,具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產業生產基地。

              據高工新型顯示了解到,項目一期總投資為60億元。

              對于在Mini/Micro LED方面的“野心”,三安光電也從未掩飾。在三安光電2018年年報中就坦承,Mini-LED已于一年前開始實現量產銷售,出貨量也隨著關鍵設備的逐步到位在疊加,Micro-LED巨量轉移技術也在改進并突破,這兩塊業務未來將會是重點發展方向之一。

              近兩年來,LED照明市場增速放緩,需求不振,也導致了上游LED芯片整體價格下降幅度較大。

              高工產研LED研究所(GGII)報告顯示,2018年隨著擴產產能釋放,2018年Q3LED芯片供需比達到1.2;隨著2019年乾照光電、兆元光電產能的釋放,供需比仍攀升,預計2019年毛利率仍將下降。

              而顯示市場隨著顯示技術的不斷升級,MiniLED和MicroLED顯示又具有無拼縫、高亮度和無反射圖像等特點,憑借產品的清晰度、畫質、厚度、反應速度等方面優勢,已逐漸從商業級顯示切入消費級顯示,而且下游應用企業也在大力推廣,一旦規模化應用,前景將非常廣闊。

              無論是從占領高毛利的顯示市場還是消化既有產能,加大在Mini/Micro LED顯示方面的投入已經成為三安光電的必由之路。


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